MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (501/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE (1 ajánlat)

Ez a Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET egy ár-teljesítmény optimalizált platform, amely lehetővé teszi a költségérzékeny alkalmazások megcélzását a fogyasztói és világítási piacokon, a legmagasabb ...

Infineon

IPD50R2K0CEAUMA1

kezdő: HUF 71,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

FDN337N

kezdő: HUF 35,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ2301ES-T1-GE3

kezdő: HUF 55,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ2301ES-T1-GE3

kezdő: HUF 870,60*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2A01FTA

kezdő: HUF 41,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2367DS-T1-GE3

kezdő: HUF 44,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2367DS-T1-GE3

kezdő: HUF 2 062,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 1000 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD4NK100Z

kezdő: HUF 424,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 1000 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD4NK100Z

kezdő: HUF 2 999,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 100 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMN10H220LFDF (2 ajánlat)

A DiodesZetex DMN10H220LFDF sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy hatékony...

Diodes

DMN10H220LFDF-7

kezdő: HUF 34,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 100 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMN10H220LFDF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMN10H220LFDF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő f...

Diodes

DMN10H220LFDF-7

kezdő: HUF 109,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,1 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP2NK90Z

kezdő: HUF 208,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SI2308BDS-T1-E3

kezdő: HUF 63,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (1 ajánlat)

Vishay

SI2308BDS-T1-E3

kezdő: HUF 2 914,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4306GTA

kezdő: HUF 210 967,00*
1 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 501 502 503 504 505 506 507 508 509 510 511 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)