MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (504/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW (2 ajánlat)

A DiodesZetex DMT35M4LFVW sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy...

Diodes

DMT35M4LFVW-7

kezdő: HUF 47,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMT35M4LFVW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMT35M4LFVW-7

kezdő: HUF 114,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STL60P4LLF6

kezdő: HUF 224,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STL60P4LLF6

kezdő: HUF 2 173,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

kezdő: HUF 192,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS(on) érték, kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesít...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 883,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH60N50P3

kezdő: HUF 2 492,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH60N50P3

kezdő: HUF 3 075,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFQ60N50P3

kezdő: HUF 2 164,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFQ60N50P3

kezdő: HUF 2 430,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLR2905ZTRPBF

kezdő: HUF 136,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű N-csatornás MOSFET, Infineon. Az Infineon átfogó AECQ-101 termékkínálata, amely magában foglalja az egycsatlakozós, N-csatornás járműipari eszközöket, és sokféle feladatra számos energiaig...

Infineon

AUIRLR2905Z

kezdő: HUF 3 024,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

AUIRLR2905Z

kezdő: HUF 42 477,50025*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLR2905ZTRPBF

kezdő: HUF 2 989,10*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB60NF06LT4

kezdő: HUF 362,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 501 502 503 504 505 506 507 508 509 510 511 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)