Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 193 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 193 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
ISC017N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 383,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 mA, 65 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 DMP Műanyag (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 192 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Sorozat = DMP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Diodes
DMP68D0LFB-7B
kezdő: HUF 189 965,00*
10 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 192 mA, 65 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 DMP Műanyag (1 ajánlat) 
A DiodesZetex P-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást (RDS(ON)), ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a nagy hatéko...
Diodes
DMP68D0LFB-7B
kezdő: HUF 49,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenként...
Infineon
BSC019N06NSATMA1
kezdő: HUF 568,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS8320LDC
kezdő: HUF 475,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS8320LDC
kezdő: HUF 2 152,40*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 3-tüskés, TO-263AB DMTH4002SCTBQ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TO-263AB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő f...
Diodes
DMTH4002SCTBQ-13
kezdő: HUF 395,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 3-tüskés, TO-263AB DMTH4002SCTBQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH4002SCTBQ sorozat egy N-csatornás MOSFET, amely megfelel az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek. Motorvezérlő rendszerekben, testvezérlő elektronikában és DC-DC átalak...
Diodes
DMTH4002SCTBQ-13
kezdő: HUF 440,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 3-tüskés, TO-263AB DMTH4002SCTB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMTH4002SCTB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMTH4002SCTB-13
kezdő: HUF 322,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 3-tüskés, TO-263AB DMTH4002SCTB (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH4002SCTB sorozat egy N-csatornás MOSFET, amelyet arra terveztek, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá ...
Diodes
DMTH4002SCTB-13
kezdő: HUF 383,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
kezdő: HUF 13 347,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
kezdő: HUF 14 666,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8SLW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8SLW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SQS120ELNW-T1_GE3
kezdő: HUF 839 341,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-8SLW Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-8SLW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...
Vishay
SQS120ELNW-T1_GE3
kezdő: HUF 313,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IRF100S201
kezdő: HUF 715,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.