Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 120 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat
1
Toshiba
TK32E12N1,S1X(S
kezdő: HUF 1 438,40*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 120 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat
1
Toshiba
TK32A12N1,S4X(S
kezdő: HUF 750,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...
1
Wolfspeed
C2M0040120D
kezdő: HUF 448 781,9001*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...
2
Wolfspeed
C2M0040120D
kezdő: HUF 13 590,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
2
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
kezdő: HUF 7 155,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
1
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
kezdő: HUF 14 290,00*
db-ként
 
 db
2
Infineon
IRFB4332PBF
kezdő: HUF 684,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 250 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Motorvezérlés és AC-DC szinkronkapcsoló MOSFET, Infineon. MOSFET motorvezérlés. Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik a robusztus N-csatornás és a P-csatornás MOSFET-eszközök között a mot...
1
Infineon
IRFB4332PBF
kezdő: HUF 859,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW (2 ajánlat) 
A DiodesZetex DMT35M4LFVW sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy...
2
Diodes
DMT35M4LFVW-7
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMT35M4LFVW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
1
Diodes
DMT35M4LFVW-7
kezdő: HUF 116,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
2
ST Microelectronics
STL60P4LLF6
kezdő: HUF 222,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
1
ST Microelectronics
STL60P4LLF6
kezdő: HUF 2 114,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
2
Vishay
SiSS12DN-T1-GE3
kezdő: HUF 152,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS(on) érték, kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesít...
1
Vishay
SiSS12DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 880,10*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
3
IXYS
IXFH60N50P3
kezdő: HUF 2 455,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.