Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 250 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Motorvezérlés és AC-DC szinkronkapcsoló MOSFET, Infineon. MOSFET motorvezérlés. Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik a robusztus N-csatornás és a P-csatornás MOSFET-eszközök között a mot...
Infineon
IRFB4332PBF
kezdő: HUF 859,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW (2 ajánlat) 
A DiodesZetex DMT35M4LFVW sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, ami ideálissá teszi a nagy...
Diodes
DMT35M4LFVW-7
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 30 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMT35M4LFVW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMT35M4LFVW-7
kezdő: HUF 116,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STL60P4LLF6
kezdő: HUF 222,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STL60P4LLF6
kezdő: HUF 2 109,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Vishay
SiSS12DN-T1-GE3
kezdő: HUF 152,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS(on) érték, kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesít...
Vishay
SiSS12DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 872,10*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFH60N50P3
kezdő: HUF 2 430,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFH60N50P3
kezdő: HUF 3 083,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFQ60N50P3
kezdő: HUF 2 104,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFQ60N50P3
kezdő: HUF 2 403,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLR2905ZTRPBF
kezdő: HUF 149,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Gépjármű N-csatornás MOSFET, Infineon. Az Infineon átfogó AECQ-101 termékkínálata, amely magában foglalja az egycsatlakozós, N-csatornás járműipari eszközöket, és sokféle feladatra számos energiaig...
Infineon
AUIRLR2905Z
kezdő: HUF 1 674,40*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Gépjármű N-csatornás MOSFET, Infineon. Az Infineon átfogó AECQ-101 termékkínálata, amely magában foglalja az egycsatlakozós, N-csatornás járműipari eszközöket, és sokféle feladatra számos energiaig...
Infineon
AUIRLR2905Z
kezdő: HUF 24 438,4005*
75 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRLR2905ZTRPBF
kezdő: HUF 2 967,10*
20 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   501   502   503   504   505   506   507   508   509   510   511   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.