Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C658NL Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NVTFS5C658NLTAG
kezdő: HUF 224,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C658NL Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NVTFS5C658NLTAG
kezdő: HUF 2 242,00*
5 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NVTFS6H850NTAG
kezdő: HUF 203 282,505*
1 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat) 
Autóipari teljesítmény-MOSFET 5x6 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...
onsemi
NVTFS6H850NTAG
kezdő: HUF 2 762,50*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
kezdő: HUF 134,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NVTFS6H854NTAG
kezdő: HUF 1 279,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 14 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVT (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = NVT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenál...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
kezdő: HUF 415,23*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 14 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVT (1 ajánlat) 
A on Semiconductor N csatornáján lévő MOSFET 14 amper és 80 volt feszültséggel működik. Kis helyigénye kis RDS-funkcióval (be) ellátott kompakt kialakításhoz, a vezetési veszteség minimálisra csökk...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
kezdő: HUF 72,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NVTFS6H888NTAG
kezdő: HUF 372,48*
5 db-ként
 
 csomagok
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...
onsemi
NVTFS6H888NTAG
kezdő: HUF 470,90004*
6 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor
onsemi
NVTR4503NT1G
kezdő: HUF 28,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor
onsemi
NVTR4503NT1G
kezdő: HUF 1 816,10*
25 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 92 722,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 98 654,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 1 361 827,00416*
28 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.