Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NXV65HR Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.082 Ω Maximáli...
onsemi
NXV65HR82DZ1
kezdő: HUF 498 867,336*
72 db-ként
MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat) 
Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...
onsemi
NXV65HR82DZ1
kezdő: HUF 7 285,00*
db-ként
MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NXV65HR Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.082 Ω Maximáli...
onsemi
NXV65HR82DZ2
kezdő: HUF 6 631,00*
db-ként
MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat) 
Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...
onsemi
NXV65HR82DZ2
kezdő: HUF 8 705,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
RFD12N06RLESM9A
kezdő: HUF 150,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
RFD12N06RLESM9A
kezdő: HUF 1 268,10*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05L
kezdő: HUF 241,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05LSM
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05LSM
kezdő: HUF 142,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05LSM9A
kezdő: HUF 98,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05LSM9A
kezdő: HUF 1 097,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05SM9A
kezdő: HUF 117,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05SM9A
kezdő: HUF 2 375,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...
onsemi
RFD16N05LSM9A
kezdő: HUF 150,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...
onsemi
RFD16N05LSM9A
kezdő: HUF 951,90*
5 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.