MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (525/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 850 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...

IXYS

IXFK66N85X

kezdő: HUF 7 279,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

kezdő: HUF 355,80834*
db-ként

kezdő: HUF 1 067 425,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

kezdő: HUF 518,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

Vishay

SIR5808DP-T1-RE3

kezdő: HUF 301,69234*
db-ként

kezdő: HUF 905 077,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIR5808DP-T1-RE3

kezdő: HUF 353,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66.7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SiSS78LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 175,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat)

A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-...

Vishay

SiSS78LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 660 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chi...

Infineon

BSP149H6906XTSA1

kezdő: HUF 172,173*
db-ként

kezdő: HUF 172 173,00*
1 000 db-ként