Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
BSS123-7-F
kezdő: HUF 8,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
BSS123-7-F
kezdő: HUF 67 413,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 80 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRFP2907ZPBF
kezdő: HUF 1 042,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 80 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRFP2907ZPBF
kezdő: HUF 2 543,70*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 75 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFS3207TRLPBF
kezdő: HUF 885,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRF2907ZSTRLPBF
kezdő: HUF 908,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Infineon
IRFS3207ZTRRPBF
kezdő: HUF 657,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 14 964,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 14 579,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
ISC019N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 227,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
ISC019N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 349,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...
Infineon
IRF2204SPBF
kezdő: HUF 19 992,20*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...
Infineon
IRF2204SPBF
kezdő: HUF 1 642,00*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS1D7N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 170 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Alacsony RDS(be) a ...
onsemi
NTMFS1D7N03CGT1G
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS1D7N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NTMFS1D7N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
onsemi
NTMFS1D7N03CGT1G
kezdő: HUF 283,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.