MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (529/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP9NK50Z

nincs adat

kezdő: HUF 7 722,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP9NK50ZFP

nincs adat

kezdő: HUF 7 818,50*
50 db-ként

Infineon IPS65R1K0CE tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPS65R1K0CEAKMA2

nincs adat

kezdő: HUF 5 866,3005*
75 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat)

A Infineon CoolMOS egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A Cool...

Infineon

IPS65R1K0CEAKMA2

nincs adat

kezdő: HUF 99,00*
db-ként

Infineon IPA65R1K0CE tranzisztor 650 V (2 ajánlat)

Infineon

IPA65R1K0CEXKSA1

nincs adat

kezdő: HUF 184,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Infineon

IPA65R1K0CEXKSA1

nincs adat

kezdő: HUF 184,00*
db-ként

Infineon IPD65R1K0CE tranzisztor 700 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD65R1K0CEAUMA1

nincs adat

kezdő: HUF 197 935,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 650 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ CE Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Infineon

IPD65R1K0CEAUMA1

nincs adat

kezdő: HUF 81,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF7495TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 209,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF7495TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 3 404,20*
10 db-ként

Infineon IRF7201 tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF7201TRPBF

nincs adat

kezdő: HUF 183,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ C3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

Infineon

SPU07N60C3

nincs adat

kezdő: HUF 21 463,20*
80 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ C3 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

Infineon

SPA07N60C3XKSA1

nincs adat

kezdő: HUF 528,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = IMBF1 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IMBF170R650M1XTMA1

nincs adat

kezdő: HUF 770 424,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1 (1 ajánlat)

A TO-263-7 magas levezetési tokozású Infineon CoolSiC™ 650 V, 1700 m-es SIC MOSFET-et úgy optimalizálták, hogy repülésre alkalmas topológiákat lehessen használni a DC-kapcsolati feszültségekhez csa...

Infineon

IMBF170R650M1XTMA1

nincs adat

kezdő: HUF 772,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 531 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)