MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (529/801 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = SCT1000N170 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

ST Microelectronics

SCT1000N170

kezdő: HUF 2 334,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (1 ajánlat)

SiC MOSFETA STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan ...

ST Microelectronics

SCT1000N170

kezdő: HUF 4 004,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Diodes

DMP2040USS-13

kezdő: HUF 37,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...

Diodes

DMP2040USS-13

kezdő: HUF 5 026,10*
50 db-ként

Infineon BSC22DN20NS3 G tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC22DN20NS3GATMA1

kezdő: HUF 775,53*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 200 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSC22DN20NS3GATMA1

kezdő: HUF 3 919,80*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 680 m/s Csatorna mó...

ST Microelectronics

STD11N65M2

kezdő: HUF 271,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STD8N65M5

kezdő: HUF 410,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Ezek az eszközök N csatornás teljesítmény MOSFET-ek, amelyeket az MDmesh M2 technológia segítségével fejlesztettek ki. A felvételkiosztás és a jobb függőleges szerkezet miatt ezek az eszközök kis e...

ST Microelectronics

STD11N65M2

kezdő: HUF 2 068,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STD8N65M5

kezdő: HUF 2 417,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 30 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMN3042LFDF Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3042LFDF-7

kezdő: HUF 2 008,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 30 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMN3042LFDF Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3042LFDF-7

kezdő: HUF 44,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 30 V, 8-tüskés, DFN2020 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

PMPB20EN,115

kezdő: HUF 230,595*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 30 V, 8-tüskés, DFN2020 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

PMPB20EN,115

kezdő: HUF 2 003,40*
15 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 30 V, 8-tüskés, TSMT8 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSMT8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

QH8MA3TCR

kezdő: HUF 80,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 531 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)