MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (530/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat)

A Infineon IRFH5300 egy erős teljesítményű MOSFET család alacsony RDS(ON) és nagy áramerősségű képességekre van optimalizálva. Az eszközök ideálisak a teljesítményt és robusztusságot igénylő, alacs...

Infineon

IRFH5300TRPBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors regeneráló diódasorozatot képezi. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyre...

ST Microelectronics

STD12N60DM6

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Toshiba

TK3P50D,RQ(S

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...

onsemi

FQB30N06LTM

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFZ44ESTRLPBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,6 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFIB7N50APBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

Infineon IPP052N08N5 tranzisztor 250 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP052N08N5AKSA1

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 84 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRF1010ESTRLPBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

Infineon IPP60R360P7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP60R360P7XKSA1

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 13 A, 150 V, DPAK HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DPAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IRFR6215TRLPBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 2,3 A, 30 V, 8-tüskés, MSOP Izolált Si (2 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

ZXMD63N03XTA

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 35 A, 120 V, PG-TO252-3-11 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Csomag típusa = PG-TO252-3-11 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IPD35N12S3L24ATMA1

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

ROHM Semiconductor

SH8KA2TB1

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

Infineon IPP086N10N3 G tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP086N10N3GXKSA1

kezdő: HUF 326,00*
db-ként

Infineon IPA60R400CE tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPA60R400CEXKSA1

kezdő: HUF 326,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 521 522 523 524 525 526 527 528 529 530 531 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)