MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (543/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IPP100N08N3 G tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP100N08N3GXKSA1

kezdő: HUF 505,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPP100N08N3GXKSA1

kezdő: HUF 2 613,30*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 80 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH8008LFGQ (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 70 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = DMTH8008LFGQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMTH8008LFGQ-7

kezdő: HUF 238,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 80 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH8008LFGQ (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMTH8008LFGQ sorozat egy N-csatornás MOSFET, amely megfelel a járműipari alkalmazások szigorú követelményeinek. Energiagazdálkodási funkciókban, háttérvilágításban és DC-DC átalakítók...

Diodes

DMTH8008LFGQ-7

kezdő: HUF 297,00*
db-ként

Infineon IAUC70N08S5N074 tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUC70N08S5N074ATMA1

kezdő: HUF 207,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 70 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Infineon

IAUC70N08S5N074ATMA1

kezdő: HUF 351,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS127S-7

kezdő: HUF 35,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS127S-7

kezdő: HUF 1 136,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-346 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS127SSN-7

kezdő: HUF 32,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 mA, 600 V, 3-tüskés, SOT-346 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS127SSN-7

kezdő: HUF 1 908,20*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70.2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 150 V (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 70.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = N-Channel 150 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...

Vishay

SiR578DP-T1-RE3

kezdő: HUF 478,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70.2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 150 V (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SiR578DP-T1-RE3

kezdő: HUF 660,00*
db-ként