Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW70N60DM2
kezdő: HUF 86 808,2001*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN80N60P3
kezdő: HUF 8 234,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN80N60P3
kezdő: HUF 9 861,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
ISC0602NLSATMA1
kezdő: HUF 1 076 073,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Infineon
ISC0602NLSATMA1
kezdő: HUF 366,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 850 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-264 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
IXYS
IXFK66N85X
kezdő: HUF 6 853,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 850 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFK66N85X
kezdő: HUF 7 294,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 070 196,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
kezdő: HUF 527,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIR5808DP-T1-RE3
kezdő: HUF 907 045,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 66,8 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIR5808DP-T1-RE3
kezdő: HUF 356,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66.7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiSS78LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 176,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 66.7 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-...
Vishay
SiSS78LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 350,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 660 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chi...
Infineon
BSP149H6906XTSA1
kezdő: HUF 190 136,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 660 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 660 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chi...
Infineon
BSP149H6906XTSA1
kezdő: HUF 298,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.