Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDPF045N10A
kezdő: HUF 2 335,70*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 120 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat) 
Ez az n-csatornás MV MOSFET a továbbfejlesztett PowerTrench® folyamat használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizál...
onsemi
FDMS4D0N12C
kezdő: HUF 716,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 120 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...
onsemi
FDMS4D0N12C
kezdő: HUF 8 714,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 150 V, 15-tüskés, DirectFET2 nagy doboz HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhet�� Tüskék száma = 15 Elemek száma chipenként...
Infineon
IRF7779L2TRPBF
kezdő: HUF 1 258,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 30 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, max. 30 V
Nexperia
PH8230E,115
kezdő: HUF 409 919,01*
1 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 30 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, max. 30 V
Nexperia
PH8230E,115
kezdő: HUF 1 724,60*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
kezdő: HUF 54,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiSH536DN-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 70 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozással rendelkezik.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x ...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 156,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67,4 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiSS76LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 157,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 100 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-re...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 043,115*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
Vishay
SiR882BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 347,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 670 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQT3P20TF
kezdő: HUF 419 018,00*
4 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 670 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQT3P20TF
kezdő: HUF 121,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTH4L022N120M3S
kezdő: HUF 3 715,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   551   552   553   554   555   556   557   558   559   560   561   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.