MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (553/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 14,9 A, 30 V, 8-tüskés, PG-DSO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 14,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PG-DSO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

Infineon

BSO080P03SHXUMA1

kezdő: HUF 359,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,9 A, 30 V, 8-tüskés, PG-DSO-8 (1 ajánlat)

Infineon

BSO301SPHXUMA1

kezdő: HUF 337,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,9 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

BSO201SPHXUMA1

kezdő: HUF 1 819,60*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,8 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT67M8LSS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = DMT67M8LSS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMT67M8LSS-13

kezdő: HUF 320 343,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,8 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT67M8LSS (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMT8030LFDF sorozat N-csatornás MOSFET. Az energiagazdálkodási funkciókban, az akkumulátorral működő rendszerekben és a félvezető-alapú relékben használják.100%-ban kifeszített indukt...

Diodes

DMT67M8LSS-13

kezdő: HUF 177,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,4 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3024LK3-13

kezdő: HUF 60,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,4 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

TrenchFET® power MOSFET Kis hőellenállású PowerPAK® tok

Vishay

Si7190ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 382,48*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,4 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

Si7190ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 395,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN4010LFG-7

kezdő: HUF 152 482,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN4010LFG-7

kezdő: HUF 91,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMN2011UFDF Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN2011UFDF-7

kezdő: HUF 130,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMN2011UFDF Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN2011UFDF-7

kezdő: HUF 149 295,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiS110DN-T1-GE3

kezdő: HUF 71,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva

Vishay

SiS110DN-T1-GE3

kezdő: HUF 4 583,70*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14,1 A, 550 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Infineon

IPD50R380CEAUMA1

kezdő: HUF 350 837,00*
2 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 551 552 553 554 555 556 557 558 559 560 561 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)