Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 138 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...
onsemi
NTMYS2D4N04CTWG
kezdő: HUF 568,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 80 V (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = N-Channel 80 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...
Vishay
SIR5802DP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 349,415*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 137.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 80 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...
Vishay
SIR5802DP-T1-RE3
kezdő: HUF 417,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR680ADP (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiDR680ADP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIDR680ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 2 182,95*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR680ADP (1 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS - QG érdem szám (FOM) funkcióval rendelkezik, és a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM értékre van hangolva.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen...
Vishay
SIDR680ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 283,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE030N06NM5ATMA1
kezdő: HUF 407,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE030N06NM5ATMA1
kezdő: HUF 678,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE030N06NM5CGATMA1
kezdő: HUF 407,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE030N06NM5CGATMA1
kezdő: HUF 632,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangol...
Vishay
SiR180ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 275,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Vishay
SiR180ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 238,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 12 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 12 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Sorozat = P-Channel 12 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 227,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 12 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 12 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IPP045N10N3GXKSA1
kezdő: HUF 681,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 136 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 136 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...
Infineon
BSC037N08NS5TATMA1
kezdő: HUF 636,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   551   552   553   554   555   556   557   558   559   560   561   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.