MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (563/801 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ C3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

Infineon

SPA08N80C3XKSA1

kezdő: HUF 1 324,90*
2 db-ként

Infineon IPA80R600P7 tranzisztor 800 V (1 ajánlat)

Infineon

IPA80R600P7XKSA1

kezdő: HUF 324,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Infineon

IPA80R600P7XKSA1

kezdő: HUF 382,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQP8N80C

kezdő: HUF 624,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQP8N80C

kezdő: HUF 2 924,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQPF8N80C

kezdő: HUF 696,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220F SuperFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCPF650N80Z

kezdő: HUF 42 209,90*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.391 Ω Maximális kapu küszöbfeszül...

Vishay

SIHG11N80AE-GE3

kezdő: HUF 525,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET TO-247AC tokozású, egyetlen konfigurációval.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség R...

Vishay

SIHG11N80AE-GE3

kezdő: HUF 424,00*
db-ként

Infineon IPD80R600P7 tranzisztor 800 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD80R600P7ATMA1

kezdő: HUF 579 546,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

A Infineon 800V CoolMOS P7 szuperjunkciósMOSFET sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel teljes mértékben kielégíti a piaci igényeket a teljesítmény, az egysz...

Infineon

IPD80R600P7ATMA1

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek száma ...

Infineon

IPLK80R600P7ATMA1

kezdő: HUF 233,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat)

Infineon

IPLK80R600P7ATMA1

kezdő: HUF 445,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Vishay

SIHD11N80AE-T1-GE3

kezdő: HUF 476,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHD11N80AE-T1-GE3

kezdő: HUF 567,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 571 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)