Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☑
☐
Kép
Minőséghitelesítő pecsét x
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 595,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat) 
A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony eff...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 592,00*
db-ként
Infineon
IPS60R800CEAKMA1
nincs adat
kezdő: HUF 11 945,00025*
75 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A Cool...
Infineon
IPS60R800CEAKMA1
nincs adat
kezdő: HUF 160,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 EF (1 ajánlat) 
A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET vékony ólomból 220 ULLPAK tokozású.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effekt...
Vishay
SiHA186N60EF-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 564,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...
Vishay
SiHA186N60EF-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 557,00*
db-ként
Infineon
IPAN60R800CEXKSA1
nincs adat
kezdő: HUF 8 725,90*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS™ CE alkalmas kemény és lágy kapcsolási alkalmazásokhoz, és modern szupercsomópontként alacsony vezetési és kapcsolási veszteséget biztosít, javítja a hatékonyságot és végső soron...
Infineon
IPAN60R800CEXKSA1
nincs adat
kezdő: HUF 175,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.168 Ω Maximális kapu küszöbfes...
Vishay
SiHG186N60EF-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 642,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF (1 ajánlat) 
A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET TO-247AC tokozású.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(...
Vishay
SiHG186N60EF-GE3
nincs adat
kezdő: HUF 698,00*
db-ként
Infineon
IPD60R800CEAUMA1
nincs adat
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE (1 ajánlat) 
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
Infineon
IPD60R800CEAUMA1
nincs adat
kezdő: HUF 249 266,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 700 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...
Infineon
IPLK70R600P7ATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 171,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 700 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...
Infineon
IPLK70R600P7ATMA1
nincs adat
kezdő: HUF 276,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDS8884
nincs adat
kezdő: HUF 190 072,50*
2 500 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.