Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH90 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses teljesítményértéke 116A, és a forrásellenállás 18 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a ...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
kezdő: HUF 8 042,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 2 741,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 4 449,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL90N (2 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
kezdő: HUF 10 181,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 10 610,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 11 001,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és forrásellenállás 45 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 808,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW35 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 247,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 4 177,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 4 184,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW40N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.7 O Maximális ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
kezdő: HUF 5 402,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
kezdő: HUF 5 391,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 5 801,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 6 421,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
kezdő: HUF 7 330,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.