Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 650 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) SiC Power SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...
onsemi
NTBG045N065SC1
kezdő: HUF 2 083,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
IXYS
IXFA80N25X3
kezdő: HUF 2 084,00*
db-ként
Vishay SQJ488EP-T1_GE3 IGBT (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
SQJ488EP-T1_GE3
kezdő: HUF 2 086,30*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDPF390N15A
kezdő: HUF 2 088,10*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 TK090N65Z Szilikon (1 ajánlat) 
A Toshiba szilikon N-csatornás MOSFET nagy sebességű kapcsolási tulajdonságokkal rendelkezik, kisebb kapacitással. Elsősorban tápegységek kapcsolására használják.Alacsony a leeresztő-forrás ellenál...
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
kezdő: HUF 2 089,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS8320LDC
kezdő: HUF 2 090,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 092,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 2 094,30*
100 db-ként
Infineon
IRFH5015TRPBF
kezdő: HUF 2 095,00*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRFS4615TRLPBF
kezdő: HUF 2 095,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMP2045U-7
kezdő: HUF 2 096,00*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R072M1HXTMA1
kezdő: HUF 2 097,00*
db-ként
MOSFET, 211 A, 700 V, PG-TO220-3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 211 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = PG-TO220-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
IPP65R041CFD7XKSA1
kezdő: HUF 2 098,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 3,4 A, 55 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRF7342TRPBF
kezdő: HUF 2 100,80*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 280 A, 30 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 30 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJQ131EL-T1_GE3
kezdő: HUF 2 101,175*
5 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.