Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Ajánlatok ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
1
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
kezdő: HUF 16 156,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
2
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 12 302,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
1
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 11 742,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW90 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
2
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 975,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
1
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 293,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
2
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 3 706,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
1
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 618,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
2
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 7 907,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
1
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 8 066,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA35N65G2V Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
2
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 985,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egysé...
1
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 4 067,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
2
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 900,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
1
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 7 932,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTWA40N120G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
2
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 4 559,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
SiC MOSFETAz STMicroelectronics 7 V, 55 650-os SCTH35N65G2V- STPOWER SiC MOSFET ugyanolyan névleges feszültségű és egyenértékű bekapcsolt állapotú ellenállással, Trench Field-stop (TFS) IGBT-vel. A...
1
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 10 506,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   561   562   563   564   565   566   567   568   569   570   571   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.