MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (570/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 8.5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB9N65APBF

kezdő: HUF 616,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8.5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STF12N65M5

kezdő: HUF 457,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8.6 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP10NK70ZFP

kezdő: HUF 334,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8.8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...

onsemi

FDS4435BZ

kezdő: HUF 89,24*
db-ként

kezdő: HUF 446,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8.9 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS3572

kezdő: HUF 530,52*
db-ként

kezdő: HUF 2 652,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF8010STRLPBF

kezdő: HUF 320,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat)

Infineon

IRF8010STRLPBF

kezdő: HUF 361,09475*
db-ként

kezdő: HUF 288 875,80*
800 db-ként

Infineon IPB083N10N3 G tranzisztor 75 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB083N10N3GATMA1

kezdő: HUF 254,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB083N10N3GATMA1

kezdő: HUF 536,213*
db-ként

kezdő: HUF 4 289,704*
8 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB100N10F7

kezdő: HUF 444,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STB100N10F7

kezdő: HUF 673,58*
db-ként

kezdő: HUF 3 367,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STB80NF10T4

kezdő: HUF 530,00*
db-ként