Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egysé...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 4 086,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 817,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 7 924,00*
db-ként
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTWA40N120G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 5 873,00*
db-ként
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
SiC MOSFETAz STMicroelectronics 7 V, 55 650-os SCTH35N65G2V- STPOWER SiC MOSFET ugyanolyan névleges feszültségű és egyenértékű bekapcsolt állapotú ellenállással, Trench Field-stop (TFS) IGBT-vel. A...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 10 500,00*
db-ként
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 ...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 881,00*
db-ként
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 Ω Maximáli...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 591,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 14 396,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 25 746,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA90N65G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 681,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 228,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 23 911,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 125 V, 4-tüskés, M174 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
SD2931-10W
kezdő: HUF 24 442,00*
db-ként
MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
kezdő: HUF 1 012,00*
db-ként
MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
kezdő: HUF 1 392,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.