MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (575/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 56 A, 55 V, DPAK HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IRFR2405TRLPBF

kezdő: HUF 256,00*
db-ként

MOSFET, 7,7 A, 100 V, TO-220 FULLPAK (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 FULLPAK Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRFI9530GPBF

kezdő: HUF 256,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

Vishay

SQD40020EL_GE3

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFP12N10L

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 25 V, 8-tüskés, PQFN8 Power Si (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR Power33 sorozatú 25 V-os N-csatornás MOSFET árnyékolt kapu technológiát tartalmazó Advanced-eljárással készül. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcso...

onsemi

NTTFS1D8N02P1E

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Infineon

IRF7831TRPBF

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 350 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-243AA Egyszeres Si (2 ajánlat)

Supertex N-csatornás Kimerítő mód MOSFET tranzisztorok. A Microchip által kínált N-csatornás dMOS FET tranzisztorok Supertex választéka alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy bomlási feszülts...

Microchip Technology

DN3535N8-G

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 150 V, 8-tüskés, HSMT8 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = HSMT8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...

ROHM Semiconductor

RH6R025BHTB1

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP10A18GTA

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQD45P03-12_GE3

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 950 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

A Infineon a nagyfeszültségű MOSFET arénában a növekvő fogyasztói igények kielégítésére készült, legújabb 950V CoolMOS™ P7 technológia az alacsony teljesítményű SMPS piacra összpontosít. A 950V Coo...

Infineon

IPD95R2K0P7ATMA1

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

BSC094N06LS5ATMA1

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF830ASPBF

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (2 ajánlat)

A Infineon HEXFET sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. A International Rectifier HEXFET teljesítmény MOSFET-jei Advanced feldolgozási technikákat alkalmaznak a rendkívül alacsony szilícium ter...

Infineon

IRF3710STRLPBF

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9630PBF

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 571 572 573 574 575 576 577 578 579 580 581 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)