MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (579/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IPP057N08N3 G tranzisztor 80 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP057N08N3GXKSA1

kezdő: HUF 463,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPP057N08N3GXKSA1

kezdő: HUF 3 921,50*
10 db-ként

Infineon IPP052N08N5 tranzisztor 250 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP052N08N5AKSA1

kezdő: HUF 326,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPP052N08N5AKSA1

kezdő: HUF 382,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86300

kezdő: HUF 1 047 871,02*
3 000 db-ként

Infineon BSC070N10NS5 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC070N10NS5ATMA1

kezdő: HUF 1 316,695*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon BSC070N10NS5 a 100 V-os OptiMOS 5-es teljesítmény MOSFET-BEN FIZETŐS. Ez a MOSFET szinkron egyenirányítási és magas kapcsolási frekvenciához ideális. Ez a MOSFET a legnagyobb rendszerhat...

Infineon

BSC070N10NS5ATMA1

kezdő: HUF 3 131,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 800 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN10A07FTA

kezdő: HUF 68,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 800 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN10A07FTA

kezdő: HUF 173 893,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 800 mA, 150 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDN86265P

kezdő: HUF 138,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 800 mA, 150 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDN86265P

kezdő: HUF 3 773,20*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR104LDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM). A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM értékre van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat

Vishay

SiR104LDP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 141,905*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR104LDP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SiR104LDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SiR104LDP-T1-RE3

kezdő: HUF 219,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (2 ajánlat)

A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM), és a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM hangra van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat

Vishay

SiR870BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 690,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SiR870BDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SiR870BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 318,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 571 572 573 574 575 576 577 578 579 580 581 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)