Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRF1010NSTRLPBF
kezdő: HUF 3 781,60*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SiHS90N65E-GE3
kezdő: HUF 97 362,70*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 700 V, 3-tüskés, Super-247 E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 85 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SiHS90N65E-GE3
kezdő: HUF 3 887,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQT4N20LTF
kezdő: HUF 80,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQT4N20LTF
kezdő: HUF 1 288,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, max. 30 V
Nexperia
BSH103,215
kezdő: HUF 41,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, max. 30 V
Nexperia
BSH103,215
kezdő: HUF 1 492,20*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009SPSQ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H009SPSQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...
Diodes
DMTH10H009SPSQ-13
kezdő: HUF 189,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009SPSQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH10H009SPSQ sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség
Diodes
DMTH10H009SPSQ-13
kezdő: HUF 189,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 86 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IRFR3709ZTRPBF
kezdő: HUF 87,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
A D-Pak tokozású Infineon 30 V-os, egycsatornás HEXFET teljesítmény MOSFET.Nagyon alacsony RDS(be) 4,5V VGS mellett Rendkívül alacsony kapuimpendancia Teljesen jellemző lavina feszültség És az aktu...
Infineon
IRFR3709ZTRPBF
kezdő: HUF 171,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN102N30P
kezdő: HUF 7 410,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN102N30P
kezdő: HUF 8 318,00*
db-ként
Infineon IPD90N04S4-05 tranzisztor (2 ajánlat)
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
kezdő: HUF 134,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Si (1 ajánlat) 
A DPAK (TO-252) típusú tokozású Infineon OptiMOS™-T2 sorozatú N-csatornás autós MOSFET. Alacsony kapcsolási és vezetési teljesítményveszteséggel rendelkezik.N-csatorna – Javítási mód MSL1 - 260 °C ...
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
kezdő: HUF 133,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.