Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Vishay
SiR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 300,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
A Vishay SiR104ADP-T1-RE3 egy N-csatornás 100 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva 100 %-...
Vishay
SiR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 316,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR104ADP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM). A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM értékre van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiDR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 385,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR104ADP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
Vishay
SiDR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 343,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...
ROHM Semiconductor
SCT4018KEC11
kezdő: HUF 3 593 975,301*
450 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...
ROHM Semiconductor
SCT4018KEC11
kezdő: HUF 8 538,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 20 V, DirectFET izometrikus HEXFET Szilikon (2 ajánlat) 
A HEXFET® Power MOSFET szilikon technológia Infineon kialakítása a Advanced Direct FETTM csomagolással a legalacsonyabb bekapcsolt állapotú ellenállás elérése érdekében EGY OLYAN csomagban, amely A...
Infineon
IRF6636TRPBF
kezdő: HUF 1 288 383,84*
4 800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 20 V, DirectFET izometrikus HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális nyelő forrásellenállás = 0.0064 Ω...
Infineon
IRF6636TRPBF
kezdő: HUF 412,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (2 ajánlat) 
A Infineon OptiMOS™ 40V tökéletes választás az Switched Mode tápegységekben (pl. szerverekben és asztali számítógépeken) található szinkron egyenirányítás számára. Ezen kívül ezek az eszközök ipari...
Infineon
BSC054N04NSGATMA1
kezdő: HUF 124,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
BSC054N04NSGATMA1
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFP054NPBF
kezdő: HUF 735,00*
db-ként
 
 db
Infineon IRFP054N tranzisztor 100 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFP054NPBF
kezdő: HUF 606,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81,2 A., 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81,2 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 168,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81,2 A., 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 3 370,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81.2 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIJA74DP-T1-GE3
kezdő: HUF 346 528,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.