Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3PN HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFQ60N50P3
kezdő: HUF 2 424,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 660 V, 3-tüskés, TO-220F Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Nagyfeszültségű (HV) MOSFET. Nagy feszültség, N-csatornás MOSFET, alacsony készenléti ellenállással és nagy kapcsolási teljesítménnyel.
MagnaChip
MDF11N60BTH
kezdő: HUF 2 426,40*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Legalacsonyabb ellenállás RDS(ON) és kapu töltés Qg Gyors lágy visszaállású dióda dv/dt tartósság Kitűnő lavinahatás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Akkumulátortöltők könnyű elektromos ...
IXYS
IXFH80N25X3
kezdő: HUF 2 430,00*
db-ként
MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247-4L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt
ROHM Semiconductor
SCT4062KRC15
kezdő: HUF 2 430,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat) 
Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Az eszközök ólommentesek, ...
onsemi
NTMTS001N06CTXG
kezdő: HUF 2 431,60*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...
onsemi
FQPF70N10
kezdő: HUF 2 434,20*
5 db-ként
Vishay IRF620SPBF IGBT (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
IRF620SPBF
kezdő: HUF 2 434,40*
5 db-ként
MOSFET, 46 A, 650 V, D2PAK-7L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
onsemi
NTBG060N065SC1
kezdő: HUF 2 435,00*
db-ként
Infineon
IPP60R022S7XKSA1
kezdő: HUF 2 437,00*
db-ként
Infineon IMBG120R090M1HXTMA1 (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Infineon
IMBG120R090M1HXTMA1
kezdő: HUF 2 441,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STB60NF06LT4
kezdő: HUF 2 443,00*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 9,3 A, 9,6 A, 35 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Izolált Si (1 ajánlat) 
Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMG4511SK4-13
kezdő: HUF 2 445,10*
20 db-ként
Infineon
IPB65R045C7ATMA2
kezdő: HUF 2 447,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, TSDSON OptiMOS™ Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET család. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes körű rugalmasság...
Infineon
BSC009NE2LSATMA1
kezdő: HUF 2 447,30*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat
Toshiba
TK31E60W,S1VX(S
kezdő: HUF 2 448,00*
2 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.