MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (586/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 54 A, 40 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TSM025 Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenállás = 11 mΩ Csatorna mód = Növekményes Maximális kapu kü...

Taiwan Semiconductor

TSM110NB04CR

kezdő: HUF 232,00*
db-ként

MOSFET, 80 A, 75 V, D-Pak (TO-252AA) HEXFET (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Csomag típusa = D-Pak (TO-252AA) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

IRFR3607TRPBF

kezdő: HUF 232,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 45 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

A Vishay SIJ150DP-T1-GEO3 egy N-csatornás 45 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET A nagyon alacsony QG és Qoss csökkenti az áramveszteséget és javítja a hatékonyságot A ruga...

Vishay

SIJ150DP-T1-GE3

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

Infineon IAUC120N04S6L012 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 45 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növek...

ROHM Semiconductor

RD3H160SPTL1

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 55 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRFU024NPBF

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 243 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 243 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...

Vishay

SQJ154EP-T1_GE3

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

Infineon BSZ042N06NS tranzisztor 60 V (2 ajánlat)

Infineon

BSZ042N06NSATMA1

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET sorozat 55V maximális elvezető forrás feszültség Ez egy N-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET egy D-Pak csomag típus. A Infineon sorozat ötödik generációs HEX...

Infineon

IRLR2905TRLPBF

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5.6 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRL510PBF

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STL60N10F7

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 10 A, 80 V, SO-8 HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

IRF7854TRPBF

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető (2 ajánlat)

Közös - Engedje le a két N-csatornás 60 V-os (S1-S2) MOSFET MOSFET egységet.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis forrásról forrásig tartó ellenállás Integrált, közös leeresztésű...

Vishay

SiSF20DN-T1-GE3

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 54 A, 60 V, 6-tüskés, PowerPAK SO-8L kettős SQJ264EP (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = SQJ264EP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SQJ264EP-T1_GE3

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

MOSFET, 35 A, 120 V, PG-TO252-3-11 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Csomag típusa = PG-TO252-3-11 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IPD35N12S3L24ATMA1

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 581 582 583 584 585 586 587 588 589 590 591 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)