![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| Kép | | | |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 599,60* 5 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 599,90* 25 db-ként |
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 2,3 A, 3,5 A, 25 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat) Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponen... |
|
kezdő: HUF 2 600,20* 20 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 602,70* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 606,10* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 606,50* 4 db-ként |
|
|
|
Infineon IPP075N15N3GXKSA1 |
kezdő: HUF 2 606,50* 2 db-ként |
|
|
MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247N (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt |
ROHM Semiconductor SCT4062KEHRC11 |
kezdő: HUF 2 608,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 56 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 |
ST Microelectronics STP60N043DM9 |
kezdő: HUF 2 608,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 610,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 612,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247N (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt |
ROHM Semiconductor SCT4062KEHRC11 |
kezdő: HUF 2 617,00* db-ként |
|
|
|
Infineon IPP100N08N3GXKSA1 |
kezdő: HUF 2 619,30* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 619,90* 5 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 621,20* 5 db-ként |
|