Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRLI640GPBF
kezdő: HUF 2 962,50*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK ChipFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI5419DU-T1-GE3
kezdő: HUF 176 591,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK ChipFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI5419DU-T1-GE3
kezdő: HUF 62,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4134DY-T1-GE3
kezdő: HUF 72,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
Si4134DY-T1-GE3
kezdő: HUF 712,80*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRL6342TRPBF
kezdő: HUF 65,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRL6342TRPBF
kezdő: HUF 5 305,32*
40 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP4A16KTC
kezdő: HUF 475 706,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP4A16KTC
kezdő: HUF 1 017,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFR9020TRPBF
kezdő: HUF 294,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFR9020TRPBF
kezdő: HUF 3 626,70*
10 db-ként
Infineon IPAN60R650CE tranzisztor 600 V (1 ajánlat)
Infineon
IPAN60R650CEXKSA1
kezdő: HUF 6 097,20*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS™ CE alkalmas kemény és lágy kapcsolási alkalmazásokhoz, és modern szupercsomópontként alacsony vezetési és kapcsolási veszteséget biztosít, javítja a hatékonyságot és végső soron...
Infineon
IPAN60R650CEXKSA1
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9.2 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFS9N60APBF
kezdő: HUF 711,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9.2 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFB9N60APBF
kezdő: HUF 542,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.