Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Összehasonlító ár ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRF630NPBF
kezdő: HUF 171,036*
db-ként
kezdő: HUF 8 551,80*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői a ...
Infineon
AUIRFR4292TRL
kezdő: HUF 317,34967*
db-ként
kezdő: HUF 952 049,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
AUIRFR4292TRL
kezdő: HUF 484,00*
db-ként
kezdő: HUF 484,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220SIS DTMOSIV Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220SIS Sorozat = DTMOSIV Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maxim...
Toshiba
TK9A65W,S5X(M
kezdő: HUF 230,80*
db-ként
kezdő: HUF 1 154,00*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRF7493TRPBF
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRF7493TRPBF
kezdő: HUF 372,57*
db-ként
kezdő: HUF 3 725,70*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR120NTRLPBF
kezdő: HUF 277,00*
db-ként
kezdő: HUF 277,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR120NTRLPBF
kezdő: HUF 241,34*
db-ként
kezdő: HUF 4 826,80*
20 db-ként
Infineon IRFU120N tranzisztor 40 V (3 ajánlat)
Infineon
IRFU120NPBF
kezdő: HUF 170,00*
db-ként
kezdő: HUF 170,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA910PZ
kezdő: HUF 122,00*
db-ként
kezdő: HUF 122,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA910PZ
kezdő: HUF 228,52*
db-ként
kezdő: HUF 2 285,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2022UFDF-7
kezdő: HUF 39,00*
db-ként
kezdő: HUF 39,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2022UFDF-7
kezdő: HUF 45,342*
db-ként
kezdő: HUF 2 267,10*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQD11P06TM
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 60 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQU11P06TU
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.