Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 340 A, 40 V, 8-tüskés, SOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 340 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Toshiba
TPHR8504PL
kezdő: HUF 2 616,50*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SUP40012EL-GE3
kezdő: HUF 2 617,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,8 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI9407BDY-T1-GE3
kezdő: HUF 2 618,40*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V
onsemi
NTR4171PT1G
kezdő: HUF 2 618,60*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6,1 A, 70 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN7A11KTC
kezdő: HUF 2 620,30*
10 db-ként
MOSFET, 26 A, 1200 V, TO-247N (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt
ROHM Semiconductor
SCT4062KEHRC11
kezdő: HUF 2 621,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 2 621,10*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 120 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
Toshiba
TK42A12N1,S4X(S
kezdő: HUF 2 621,90*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
Vishay
SIHF085N60EF-GE3
kezdő: HUF 2 623,00*
db-ként
MOSFET, 211 A, 650 V, PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 211 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PG-TO247-3 Rögzítés típusa = Furatszerelt
Infineon
IPW65R050CFD7AXKSA1
kezdő: HUF 2 625,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 3 A, 50 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRF7103TRPBF
kezdő: HUF 2 625,50*
20 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Sorozat = NexFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...
Texas Instruments
CSD16403Q5A
kezdő: HUF 2 626,09*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 240 A, 100 V, 8-tüskés, H-PSOF8L Egyszeres (1 ajánlat) 
Jellemzők Jellemzően RDS(on) = 3,3 mΩ VGS = 10 V és ID = 80 A esetén Jellemzően Qg(tot) = 47 nC VGS = 10 V és ID = 80 A esetén UIS-képesség Alkalmazások Autóipari motorvezérlés Erőátvitel-kezelés E...
onsemi
FDBL86066-F085
kezdő: HUF 2 627,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDS5670
kezdő: HUF 2 628,40*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH170N10P
kezdő: HUF 2 630,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.