MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (597/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IPD053N08N3 G tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD053N08N3GATMA1

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STP140N8F7

kezdő: HUF 569,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STP140N8F7

kezdő: HUF 565,78*
db-ként

kezdő: HUF 2 828,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN8R7-80PS,127

kezdő: HUF 371,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PSMN8R7-80PS,127

kezdő: HUF 712,70*
db-ként

kezdő: HUF 2 850,80*
4 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes E...

Infineon

IPD046N08N5ATMA1

kezdő: HUF 369,00*
db-ként

Infineon IPD90N08S4-05 tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD90N08S405ATMA1

kezdő: HUF 326,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-kialakítása a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″...

Infineon

IPD90N08S405ATMA1

kezdő: HUF 335,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPD053N08N3GATMA1

kezdő: HUF 229,41*
db-ként

kezdő: HUF 2 294,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...

IXYS

IXFB90N85X

kezdő: HUF 11 263,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

IXYS

IXFB90N85X

kezdő: HUF 12 038,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráselle...

IXYS

IXFN90N85X

kezdő: HUF 16 522,00*
db-ként