Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 60 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET F7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ F7 sorozat STMicroelectronics. Az STMicroelectronics STRFET™ F7 sorozatú, alacsony feszültségű MOSFET-ek készülék kapacitásuk kisebb, belső kapacitásúak és kaputöltés-díjuk r...
ST Microelectronics
STL90N6F7
kezdő: HUF 2 580,00*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TSDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenk...
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1
kezdő: HUF 878,25*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TSDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenk...
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1
kezdő: HUF 326,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN110N60P3
kezdő: HUF 10 279,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFN110N60P3
kezdő: HUF 12 652,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPD053N08N3 G tranzisztor 30 V (1 ajánlat)
Infineon
IPD053N08N3GATMA1
kezdő: HUF 293,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP140N8F7
kezdő: HUF 619,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP140N8F7
kezdő: HUF 3 720,50*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia
Nexperia
PSMN8R7-80PS,127
kezdő: HUF 370,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia
Nexperia
PSMN8R7-80PS,127
kezdő: HUF 1 414,70*
4 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes E...
Infineon
IPD046N08N5ATMA1
kezdő: HUF 369,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPD90N08S4-05 tranzisztor 80 V (1 ajánlat)
Infineon
IPD90N08S405ATMA1
kezdő: HUF 416,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-kialakítása a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″...
Infineon
IPD90N08S405ATMA1
kezdő: HUF 645,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 80 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...
Infineon
IPD053N08N3GATMA1
kezdő: HUF 5 451,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 850 V, 3-tüskés, PLUS264 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
A 850V Ultra-Junction X-osztályú, gyors testdiódákkal ellátott teljesítmény MOSFET-ek az IXYS Corporation új, nagy teljesítményű félvezető terméksorozatának tagjai. Ezek az erős eszközök mutatják a...
IXYS
IXFB90N85X
kezdő: HUF 10 834,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.