MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (602/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N15P

kezdő: HUF 1 627,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N15P

kezdő: HUF 1 607,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N20P

kezdő: HUF 2 073,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N20P

kezdő: HUF 2 337,00*
db-ként

Infineon IPT111N20NFD tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

IPT111N20NFDATMA1

kezdő: HUF 1 457,018*
db-ként

kezdő: HUF 7 285,09*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 96 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPT111N20NFDATMA1

kezdő: HUF 1 735,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 960 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL210TRPBF

kezdő: HUF 201,5278*
db-ként

kezdő: HUF 503 819,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 960 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL210TRPBF

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFS4410ZTRLPBF

kezdő: HUF 394,362*
db-ként

kezdő: HUF 315 489,60*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFS4410ZTRLPBF

kezdő: HUF 507,25*
db-ként

kezdő: HUF 4 058,00*
8 db-ként

Infineon IRFSL4410Z tranzisztor 150 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFSL4410ZPBF

kezdő: HUF 610,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) StrongIRFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 97 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = StrongIRFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Infineon

IRFSL4410ZPBF

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

Infineon IRF100B202 tranzisztor 250 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF100B202

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET (1 ajánlat)

StrongIRFET™ Power MOSFET Infineon. Az Infineon StrongIRFET családját alacsony R ;sub> DS ( ;/sub>be) és nagy áram teljesítményre optimalizálták. A portfólió továbbfejlesztett kaputechnológiát, lav...

Infineon

IRF100B202

kezdő: HUF 173,51*
db-ként

kezdő: HUF 8 675,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 97 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Elemek...

Infineon

IRF100B202

kezdő: HUF 328,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)