Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDV305N
kezdő: HUF 35,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDV305N
kezdő: HUF 476,10*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, X1-DFN1212 Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN2450UFD-7
kezdő: HUF 19,80*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, X1-DFN1212 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 900 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X1-DFN1212 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyel...
Diodes
DMN2450UFD-7
kezdő: HUF 3 144,00*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN3731 Si (2 ajánlat) 
A DiodesZetex 30 V-os N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a nagy hatékony...
Diodes
DMN3731U-7
kezdő: HUF 13,80*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN3731 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 900 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMN3731 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Diodes
DMN3731U-7
kezdő: HUF 31,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
NDS352AP
kezdő: HUF 51,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 NDS352AP Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
NDS352AP
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009LPSQ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H009LPSQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...
Diodes
DMTH10H009LPSQ-13
kezdő: HUF 215,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H009LPSQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMTH10H009LPSQ sorozat N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség
Diodes
DMTH10H009LPSQ-13
kezdő: HUF 331,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 12 312,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 11 765,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 14 285,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 25 783,00*
db-ként
 
 db
Nexperia
PSMN5R0-30YL,115
kezdő: HUF 142,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.