Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRF630NPBF
kezdő: HUF 8 577,80*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői a ...
Infineon
AUIRFR4292TRL
kezdő: HUF 255,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 250 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
AUIRFR4292TRL
kezdő: HUF 256,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRF7493TRPBF
kezdő: HUF 1 042,15*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRF7493TRPBF
kezdő: HUF 3 540,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR120NTRLPBF
kezdő: HUF 161,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR120NTRLPBF
kezdő: HUF 3 495,80*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA910PZ
kezdő: HUF 129,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA910PZ
kezdő: HUF 2 285,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2022UFDF-7
kezdő: HUF 38,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2022UFDF-7
kezdő: HUF 2 129,10*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQD11P06TM
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 60 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQU11P06TU
kezdő: HUF 111,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 700 V, 3-tüskés, SOT-223 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Infineon
IPN70R1K2P7SATMA1
kezdő: HUF 56,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9,5 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMA410NZ
kezdő: HUF 121,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.