Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...
Infineon
BSC032N04LSATMA1
kezdő: HUF 182,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chi...
Infineon
ISC036N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 764 908,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chi...
Infineon
ISC036N04NM5ATMA1
kezdő: HUF 257,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX98N50P3
kezdő: HUF 4 248,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFX98N50P3
kezdő: HUF 4 349,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK98N50P3
kezdő: HUF 4 250,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFK98N50P3
kezdő: HUF 5 313,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 750 V, 7-tüskés, TO-263-7L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = N...
ROHM Semiconductor
SCT4013DW7TL
kezdő: HUF 8 423,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Diodes
DMT10H9M9SCT
kezdő: HUF 1 651,30*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Diodes
DMT10H9M9SCT
kezdő: HUF 314,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 120 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 120 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Infineon
BSC080N12LSGATMA1
kezdő: HUF 390,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRLR3636TRPBF
kezdő: HUF 277,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...
Infineon
IRLR3636TRPBF
kezdő: HUF 2 935,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Microchip Technology
MSC015SMA070B4
kezdő: HUF 9 926,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Microchip Technology
MSC015SMA070B4
kezdő: HUF 11 388,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.