Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH30N50Q3
kezdő: HUF 3 148,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFH70N20Q3
kezdő: HUF 3 148,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRF8707TRPBF
kezdő: HUF 3 149,00*
40 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, X1-DFN1212 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 900 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X1-DFN1212 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyel...
Diodes
DMN2450UFD-7
kezdő: HUF 3 150,00*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRF4905STRLPBF
kezdő: HUF 3 150,70*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMW1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
kezdő: HUF 3 152,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon BSC070N10NS5 a 100 V-os OptiMOS 5-es teljesítmény MOSFET-BEN FIZETŐS. Ez a MOSFET szinkron egyenirányítási és magas kapcsolási frekvenciához ideális. Ez a MOSFET a legnagyobb rendszerhat...
Infineon
BSC070N10NS5ATMA1
kezdő: HUF 3 153,90*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH36N50P
kezdő: HUF 3 154,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H220L-7
kezdő: HUF 3 155,6001*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 TK090Z65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = TK090Z65Z Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...
Toshiba
TK090Z65Z,S1F(O
kezdő: HUF 3 156,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 12,5 A, 600 V, 8-tüskés, HSOF-8 CoolGaN Szilikon (2 ajánlat) 
A COOL MOS™ Infineon-kialakítása egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A CO...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
kezdő: HUF 3 165,00*
db-ként
Infineon IPW65R045C7 tranzisztor 650 V (3 ajánlat)
Infineon
IPW65R045C7FKSA1
kezdő: HUF 3 165,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEHRC11
kezdő: HUF 3 166,00*
db-ként
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új MDmesh M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjára...
ST Microelectronics
STB18N60M6
kezdő: HUF 3 169,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) IRF3710ZS Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Infineon
IRF3710ZSTRLPBF
kezdő: HUF 3 172,30*
10 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.