MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (622/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 18,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP6023LE-13

kezdő: HUF 3 522,20*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STD13NM60ND

kezdő: HUF 3 523,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRF3808STRLPBF

kezdő: HUF 3 523,30*
5 db-ként

MOSFET, 54,9 A, 800 V, PG-TO247-3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = PG-TO247-3 Rögzítés típusa = Furatszerelt

Infineon

SPW55N80C3FKSA1

kezdő: HUF 3 527,00*
db-ként

Vishay IRFIBE20GPBF IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

IRFIBE20GPBF

kezdő: HUF 3 527,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...

onsemi

FQB34N20LTM

kezdő: HUF 3 532,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C2M0160120D

kezdő: HUF 3 533,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFETTrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra

Vishay

SIS862ADN-T1-GE3

kezdő: HUF 3 537,50*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 51 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW55NM60ND

kezdő: HUF 3 540,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHF630STRL-GE3

kezdő: HUF 3 544,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 72 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

STW68N65DM6-4AG

kezdő: HUF 3 549,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 BSS138AKA Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

BSS138AKAR

kezdő: HUF 3 549,70*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 2N7000 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Microchip Technology

2N7000-G

kezdő: HUF 3 551,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF7493TRPBF

kezdő: HUF 3 551,70*
10 db-ként

Infineon SPW55N80C3 tranzisztor 650 V (2 ajánlat)

Infineon

SPW55N80C3FKSA1

kezdő: HUF 3 552,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 621 622 623 624 625 626 627 628 629 630 631 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)