MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (622/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chi...

Infineon

ISC036N04NM5ATMA1

kezdő: HUF 499 136,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON-8 FL (1 ajánlat)

Infineon

ISC036N04NM5ATMA1

kezdő: HUF 261,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFX98N50P3

kezdő: HUF 4 349,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFX98N50P3

kezdő: HUF 4 348,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFK98N50P3

kezdő: HUF 4 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFK98N50P3

kezdő: HUF 5 315,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 750 V, 7-tüskés, TO-263-7L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = N...

ROHM Semiconductor

SCT4013DW7TL

kezdő: HUF 8 434,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Diodes

DMT10H9M9SCT

kezdő: HUF 1 435,63*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat)

Diodes

DMT10H9M9SCT

kezdő: HUF 346,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRLR3636TRPBF

kezdő: HUF 223,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRLR3636TRPBF

kezdő: HUF 2 953,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 99 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 99 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Microchip Technology

MSC015SMA070B4

kezdő: HUF 341 014,0101*
30 db-ként