MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (623/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 554,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRLR3410TRPBF

kezdő: HUF 3 556,60*
20 db-ként

MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V (1 ajánlat)

Ez az alacsony küszöbértékű, javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes íg...

Microchip Technology

TP0606N3-G

kezdő: HUF 3 558,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

Ezek a nagyfeszültségű N-csatornás Power MOSFET-EK az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító dióda sorozat részei. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 a nagyon alacsony helyreállítási díjat (Q...

ST Microelectronics

STWA75N60DM6

kezdő: HUF 3 563,00*
db-ként

MOSFET, 30 A, 650 V, HU3PAK (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes

ST Microelectronics

SCT055HU65G3AG

kezdő: HUF 3 567,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon BSC030N08NS5 egy optiMOS 5 80 V-os teljesítmény MOSFET, kifejezetten szinkron egyenirányítás távközlési és szerver tápegységek. Ezen kívül az eszköz más ipari alkalmazásokban is használh...

Infineon

BSC030N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 3 575,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan...

Infineon

IRF7842TRPBF

kezdő: HUF 3 576,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12.2 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN4036LK3-13

kezdő: HUF 3 577,20*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 77 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SuperFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCH041N60E

kezdő: HUF 3 582,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 94 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH94N30P3

kezdő: HUF 3 585,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Az NCP81075 egy nagy teljesítményű kettős MOSFET (magas oldal és alacsony oldal) kapumeghajtó IC, amelyet nagy feszültségű, nagy sebességű, meghajtó MOSFET-ekhez terveztek 180 V-ig. A NCP81075 egys...

onsemi

NCP81075DR2G

kezdő: HUF 3 585,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFP14N60P3

kezdő: HUF 3 587,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 TrenchFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SQ2362ES-T1_GE3

kezdő: HUF 3 594,30*
20 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

STW70N60DM6-4

kezdő: HUF 3 595,00*
db-ként

Infineon IPN50R650CE tranzisztor 650 V (1 ajánlat)

Infineon

IPN50R650CEATMA1

kezdő: HUF 3 595,90*
25 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 621 622 623 624 625 626 627 628 629 630 631 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)