Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 195 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRFS4115TRLPBF
kezdő: HUF 3 686,30*
4 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002DW
kezdő: HUF 3 689,00*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTH4L022N120M3S
kezdő: HUF 3 690,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 22-tüskés, QDPAK IPDQ60R010S7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = IPDQ60R010S7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 22 Maximális nyelő fo...
Infineon
IPDQ60R010S7XTMA1
kezdő: HUF 3 691,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 7,9 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMS86163P
kezdő: HUF 3 693,00*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STF10NM60N
kezdő: HUF 3 693,20*
5 db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 3 696,00*
db-ként
MOSFET, 56 A, 750 V, Cső (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Cső Rögzítés típusa = Furatszerelt
ROHM Semiconductor
SCT4026DEC11
kezdő: HUF 3 696,00*
db-ként
MOSFET, 56 A, 750 V, Cső (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Cső Rögzítés típusa = Furatszerelt
ROHM Semiconductor
SCT4026DRC15
kezdő: HUF 3 697,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
NTHL065N65S3HF
kezdő: HUF 3 698,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 190 mA, 520 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-963 Izolált Si (1 ajánlat) 
Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMC2990UDJ-7
kezdő: HUF 3 700,20*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDP2572
kezdő: HUF 3 701,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™ T2 teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon új OptiCath™ -T2 energiatakarékos MOSFET tranzisztorainak széles választékát kínálja CO2-csökkentéssel és elektromos meghajtókkal. Az új Opt...
Infineon
IPD90N03S4L-02
kezdő: HUF 3 702,80*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ezek az N-csatornás kis jelMOSFET-ek a Semiconductor szabadalmazott, magas CELLASŰRŰSÉGE, valamint a DMOS technológia alkalmazásával készültek. Ezeket a termékeket úgy tervezték, hogy a működés köz...
onsemi
2N7000-D26Z
kezdő: HUF 3 704,00*
100 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IPD200N15N3 G 150V OptiMOS az R DS(on) 40%-os, az érdem (FOM) pedig 45%-os csökkenését éri el a következő legjobb versenytárshoz képest. Ez a drasztikus javulás új lehetőségeket nyit meg...
Infineon
IPD200N15N3GATMA1
kezdő: HUF 3 706,90*
10 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   631   632   633   634   635   636   637   638   639   640   641   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.