MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (639/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...

ROHM Semiconductor

SCT3060AW7TL

kezdő: HUF 3 971,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, max. 40 V. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is teljes k...

Infineon

IPP039N04LGXKSA1

kezdő: HUF 3 971,10*
10 db-ként

SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA35N65G2V Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

ST Microelectronics

SCTWA35N65G2V

kezdő: HUF 3 972,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 1700 V on Semiconductor

onsemi

NTD6415ANLT4G

kezdő: HUF 3 976,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 83 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor DPAK-tokban kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Használható autóipari alkalmazásokhoz.Jellemzők Alacsony bekapcso...

onsemi

NVD5C454NT4G

kezdő: HUF 3 976,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STW88N65M5

kezdő: HUF 3 978,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 100 V, 3-tüskés, TO-92 TN0110 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Microchip Technology

TN0110N3-G

kezdő: HUF 3 979,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

AIMW120R045M1XKSA1

kezdő: HUF 3 980,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 6 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SQS966ENW-T1_GE3

kezdő: HUF 3 984,80*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (1 ajánlat)

A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...

onsemi

FCH47N60NF

kezdő: HUF 3 986,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

NDT014L

kezdő: HUF 3 992,40*
20 db-ként

Infineon IAUS300N08S5N012 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUS300N08S5N012ATMA1

kezdő: HUF 3 999,75*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

SCTWA35N65G2V-4

kezdő: HUF 4 002,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS CP Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

Infineon

IPA60R199CPXKSA1

kezdő: HUF 4 003,60*
4 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA35N65G2V-4

kezdő: HUF 4 006,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 631 632 633 634 635 636 637 638 639 640 641 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)