MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (645/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 1,75 A, 80 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2337DS-T1-GE3

kezdő: HUF 210,675*
db-ként

kezdő: HUF 4 213,50*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK6 és TK7 sorozat Toshiba

Toshiba

TK62N60W,S1VF(S

kezdő: HUF 4 225,00*
db-ként

MOSFET, 43 A, 1200 V, TO-247N (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 43 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt

ROHM Semiconductor

SCT4036KEHRC11

kezdő: HUF 4 233,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C453NL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = NVTFS5C453NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVTFS5C453NLWFTAG

kezdő: HUF 211,92*
db-ként

kezdő: HUF 4 238,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Vishay

SIHB22N60EF-GE3

kezdő: HUF 848,00*
db-ként

kezdő: HUF 4 240,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási e...

onsemi

FDPF6N60ZUT

kezdő: HUF 424,86*
db-ként

kezdő: HUF 4 248,60*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

onsemi

NVHL080N120SC1

kezdő: HUF 4 249,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

A Wolfspeed a SIC technológia terén betöltött vezető szerepét bővíti a Advanced SIC MOSFET technológia bevezetésével. A tervezők csökkenthetik az alkatrészek számát, ha a szilíciumalapú, három szin...

Wolfspeed

C3M0075120D

kezdő: HUF 4 251,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

kezdő: HUF 4 253,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 VN10K Egyszeres (1 ajánlat)

Microchip Technology MOSFETA Microchip Technology furatba szerelhető N-chile új, korba tartozó termék, amelynek ürítési ellenállása 5 ohm 10 V kapuforrásnál 60 V-os ürítőforrás feszültséggel és 30 ...

Microchip Technology

VN10KN3-G

kezdő: HUF 170,28*
db-ként

kezdő: HUF 4 257,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTH35 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7

kezdő: HUF 4 262,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHFBC30AS-GE3

kezdő: HUF 426,33*
db-ként

kezdő: HUF 4 263,30*
10 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (1 ajánlat)

A STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi területr...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

kezdő: HUF 4 267,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek

Infineon

IPP020N06NAKSA1

kezdő: HUF 853,90*
db-ként

kezdő: HUF 4 269,50*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFI4410ZPBF

kezdő: HUF 853,92*
db-ként

kezdő: HUF 4 269,60*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 641 642 643 644 645 646 647 648 649 650 651 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)