Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor
onsemi
NTF6P02T3G
kezdő: HUF 4 753,70*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFR4105ZTRPBF
kezdő: HUF 4 773,80*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
Infineon 600V CoolMOS™ sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ C7 egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szupercsomópont (SJ) elvének megfelelően ter...
Infineon
IPW60R017C7XKSA1
kezdő: HUF 4 776,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P X2-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...
IXYS
IXTK102N65X2
kezdő: HUF 4 784,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek
Infineon
BSC010N04LS
kezdő: HUF 4 784,80*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 3,5 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD5N (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű, N-csatornás teljesítményMOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Nagyon alacsony helyreállítási díjat (Qrr) és időt (trr) kínál alacsony RDS(on) funkcióval...
ST Microelectronics
STD5N60DM2
kezdő: HUF 4 788,00*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és forrásellenállás 45 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 794,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 176 A, 100 V, 3-tüskés, TO 263 OptiMOS™ 5 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IPB020N10N5 típus optiMOS 5 100V teljesítmény MOSFET D2PAK tokozásban, 22%-kal alacsonyabb RDS(ON) értékkel. Kifejezetten telekommunikációs blokkokban történő szinkron egyenirányítás cél...
Infineon
IPB020N10N5ATMA1
kezdő: HUF 4 809,10*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
kezdő: HUF 4 811,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQPF9N90CT
kezdő: HUF 4 812,10*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
onsemi
NTHL040N120SC1
kezdő: HUF 4 820,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 600 V, 3-tüskés, TO-243AA VN2460 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranz...
Microchip Technology
VN2460N8-G
kezdő: HUF 4 824,00*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFP12N50P
kezdő: HUF 4 828,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...
onsemi
FQP47P06
kezdő: HUF 4 833,80*
5 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPA60R1K0CEXKSA1
kezdő: HUF 4 837,00*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   641   642   643   644   645   646   647   648   649   650   651   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.