MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (676/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 40 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő ...

Infineon

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

kezdő: HUF 207,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 4 A, 950 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ P7 (1 ajánlat)

A Infineon IPU95R2K0P7 a nagyfeszültségű MOSFET arénában egyre növekvő fogyasztói igények kielégítésére készült, a legújabb 950V Cool MOS P7 technológia az alacsony teljesítményű SMPS piacra összpo...

Infineon

IPU95R2K0P7AKMA1

kezdő: HUF 254,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 363 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 StrongIRFET (1 ajánlat)

A Infineon legújabb 60 V-os, erős IRFET teljesítmény MOSFET-eszközei nagy áramra és alacsony RDS(ON)-re egyaránt optimalizálva vannak, így ideális megoldást jelentenek a nagy áramerősségű akkumulát...

Infineon

IRF60SC241ARMA1

kezdő: HUF 954,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 31 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 NTH SiC (2 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR NTH sorozatú SSIC N-csatornás 1200V MOSFET teljesen új technológiát használ, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb megbízhatóságot nyújt a szilíciumhoz képest. Ezen kí...

onsemi

NTHL080N120SC1A

kezdő: HUF 2 251,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 31 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 NTH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NTH Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

onsemi

NTHL080N120SC1A

kezdő: HUF 2 269,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 CoolMOS™ P6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ P6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPL60R360P6SATMA1

kezdő: HUF 412,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 30 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IPD30N06S4L23ATMA2

kezdő: HUF 137,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 240 A, 80 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

A Infineon 75 V-100V N-csatornás, autóipari minősítéssel rendelkező teljesítmény MOSFET-EK széles választékát kínálja az új OptiMOS technológiával különböző csomagokban az RDS(on) tartomány 1.2mΩ-t...

Infineon

IAUS240N08S5N019ATMA1

kezdő: HUF 1 029,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SUPERFET III Si (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR SUPERFET III sorozatú N-csatornás MOSFET nagyfeszültségű szuper-junction (SJ) MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt ellen...

onsemi

FCB125N65S3

kezdő: HUF 832,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SUPERFET III Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

onsemi

FCB125N65S3

kezdő: HUF 1 147,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 200 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Infineon

IAUT200N08S5N023ATMA1

kezdő: HUF 631,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 19,5 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximáli...

onsemi

NTBG160N120SC1

kezdő: HUF 1 438,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 19,5 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB Si (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR SSIC N-csatornás 1200V MOSFET teljesen új technológiát használ, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb megbízhatóságot nyújt a szilíciumhoz képest. Ezen kívül az alacso...

onsemi

NTBG160N120SC1

kezdő: HUF 1 674,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 180 A, 80 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 180 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPB019N08N3GATMA1

kezdő: HUF 1 360,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 170 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPB033N10N5LFATMA1

kezdő: HUF 1 561,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 671 672 673 674 675 676 677 678 679 680 681 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 994 cikk)