MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (677/795 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTMD4N03R2G

kezdő: HUF 1 006,00*
10 db-ként

Infineon AUIRF7343Q tranzisztor (1 ajánlat)

Infineon

AUIRF7343QTR

kezdő: HUF 1 118 344,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 55 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenként = 2

Infineon

AUIRF7343QTR

kezdő: HUF 289,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 6 A, 45 V, 8-tüskés, SOP SP8M21 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A, 6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = SP8M21 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

ROHM Semiconductor

SP8M21HZGTB

kezdő: HUF 293,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 6 A, 45 V, 8-tüskés, SOP SP8M21 (1 ajánlat)

Az EC-Q101 minősítésű ROHM SP8M21HZG n autóipari minőségű MOSFET. A 45V Nch és PCH pár MOSFET-EK az SOP8 csomagban találhatók. Beépített ESD-védelmi dióda. Ideális kapcsolási alkalmazásokhoz.Alacso...

ROHM Semiconductor

SP8M21HZGTB

kezdő: HUF 293,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Izolált Si (2 ajánlat)

N-csatornás STripfFET™ kettős MOSFET, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STS4DNF60L

kezdő: HUF 115,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Izolált Si (1 ajánlat)

ST Microelectronics

STS4DNF60L

kezdő: HUF 281 868,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 8-tüskés, SOIC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Szélesség = 4mm Nyitóirányú diódafeszültség = 1.1V

onsemi

NCP81075DR2G

kezdő: HUF 351,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Az NCP81075 egy nagy teljesítményű kettős MOSFET (magas oldal és alacsony oldal) kapumeghajtó IC, amelyet nagy feszültségű, nagy sebességű, meghajtó MOSFET-ekhez terveztek 180 V-ig. A NCP81075 egys...

onsemi

NCP81075DR2G

kezdő: HUF 4 750,20*
10 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4,1 A, 20 V, 8-tüskés, ChipFET Izolált Si (1 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTHD4102PT1G

kezdő: HUF 337 683,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4,1 A, 20 V, 8-tüskés, ChipFET Izolált Si (1 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTHD4102PT1G

kezdő: HUF 2 833,50*
25 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-tüskés, WDFN Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET on Semiconductor. Az NTJD1155L kétcsatornás MOSFET. A MOSFET a P és az N csatornás termékeket egyetlen csomagban kínálja, és briliáns az alacsony vezérlőjelhez, az alacsony...

onsemi

NTLJD3119CTBG

kezdő: HUF 100,00*
db-ként